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若是利用的绝缘资料拥有变迁的温度系数
发布日期:2019-10-06

  热阻尺度比力_电子/电_工程科技_专业材料。GJB548B 侧沉于测定微电子器件的热机能,包罗微电子器件的结温、热阻、 壳温、安拆概况温度以及热响应时间。了试验所需的设备:热电偶、能使规 定参考点恒温的可控温箱或散热器、 供给可控电源和进行

  GJB548B 侧沉于测定微电子器件的热机能,包罗微电子器件的结温、热阻、 壳温、安拆概况温度以及热响应时间。了试验所需的设备:热电偶、能使规 定参考点恒温的可控温箱或散热器、 供给可控电源和进行丈量所需的电学设 备、红外微辐射仪、用于安拆被试微电子器件的典型散热器、热探针组件。参考 点温度采用热电偶间接丈量。 丈量热阻时,应选择芯片上功耗密度最大的结进行 丈量。热阻的丈量有两种方式:1、间接丈量结温以确定 Rth( J ? R ) 。采用红外辐射 仪能够间接丈量半导体芯片内部热器件的结温, 且应去掉封锁壳体的帽或顶 盖,以出有源芯片或器件;2、间接丈量结温以确定 Rth( J ? R ) 。用芯片上特定 半导体元件给出器件的结温可间接丈量集成电的热阻。并给出了丈量 T j (平均) 的 开关方式。 MIL-STD-883E 中关于微电子器件热机能的测定取 GJB548B 大致不异。 MIL-STD-750E 别离了以下微电子器件的测试电。 1、老化和寿命试验中结温的丈量。有两种测试方式可用:一是拔取低的测试电 流不会惹起较着的自热现象(雷同于热阻的丈量) ;二是采用一系列电流脉冲确 定温敏参数。 这两种测试方式合用于二极管和双极型三极管。该尺度给出了测试 中所需的设备以及两种测试方式的测试流程。最初给出了第三种测试方式,该方 法仅合用于壳安拆好的功率器件, 而且器件正在老化或寿命试验中的工做功率和电 流范畴仍低于器件的额定功率。 2、二极管的热阻测试。次要是测定二极管的热机能。有两种测试路子:稳态热 阻测试和瞬态热阻测试。 位于半导体芯片和封拆之间的固晶层中的浮泛面积对稳 态热阻和瞬态热阻的影响很大, 瞬态热阻比拟于稳态热阻对浮泛面积更。瞬 态热阻测试中的: 瞬态热阻测试方式中的潜正在问题基于,正在充脚的处理方案 下试图用脚够切确的测试手段来区分及格和不及格的二极管。 因为被测二极管电 流的添加, 瞬态下的热值将变得很是小,这将添加剔除及格二极管保留不良 二极管的可能性。所以正在这种环境下应采用较大的 I H 值。 3、绝缘栅双极晶体管的热阻测试。丈量绝缘栅双极晶体管正在特定电压、电流和 持续脉冲下的热阻。该方式用来测试一个加热脉冲的结的热响应时间。出格地, 该试验可测试曲流热阻,这要求持续脉冲和加热功率大小的得当选择。 4、 GaAs 的热阻测试。丈量 MOSFET 正在特定电压、电流和脉冲宽度下的热阻。以 栅源二极管的压降为温敏参数。该方式次要针对封拆好的器件。 5、桥式整流器的热阻测试。 6、热阻(集电极关断电流法)。本试验丈量特定前提下器件的热阻。该方式从 要用于丈量具有较大热响应时间的锗器件。 7、晶体管的稳态和瞬态热阻测试。本试验丈量晶体管的热机能。测试方式雷同 于老化和寿命试验中结温的丈量。 8、热阻(曲流前置电压降,发射极, 持续法) 。本试验丈量特定前提下器件的热 阻。 9、热阻(前置电压降,集电极结, 二极管法) 。本试验丈量特定前提下器件的热 阻。该方式次要用于丈量具有较大热响应时间的锗器件。 10、热响应时间。丈量结温变化达到最终值 90%所需要的时间,结温变化是正在器 件参考点温度连结不变的环境下,因为功耗的阶跃变化形成的。 11、热时间。丈量结温变化达到最终值 63.2%所需要的时间。 12、热阻,通用。丈量稳态前提下,指定结的单元功耗的温升或温度。测试 热阻的设备应满脚器件利用手册的最低要求。 13、垂曲功率 MOSFET 的热阻测试(漏源电压法) 。丈量 MOSFET 正在特定电压、电 流和持续脉冲下的热阻。 以对温度的源漏二极管电压做为温敏参数。该方式 次要针对具有较长热响应时间的加强型功率 MOSFET。 14、半导体闸流管热阻测试。测试特定前提下半导体闸流管的热阻。 BS IEC 60747-1 定义了一般元器件的热衰减因子、等效热收集、瞬态热阻,并 了测试方式中的热前提。 凡是环境下,热前提的节制程度只要当被测机能明 显依赖于温度时才需要。 若是从激励源工做到测试的时间加倍后,正在充许误差内 没有惹起成果的较着变化,需考虑到热均衡。对于温度额定的器件,当 温度低于半导体器件时, 若是器件各层四周的温度大体分歧,可采用天然冷 却前提。 应正在器件的壳以下大约 5 倍于壳的曲径处丈量温度, 且不小于 10mm。 丈量应正在一个尺寸恰当的无反射壁的腔体内进行。 正在器件可能被放置的任何一个 处所,腔体应能维持所的温度,且误差正在 内。若是不会使器件降温, 且正在一般对流下较大腔体内可获得不异的成果,腔体内空气轻细的搅动是答应 的。留意:该丈量方式的可反复性很大程度上决定于腔体的制型。对于壳温额定 的器件, 丈量应正在壳——热阻比拟结——壳热阻尽可能小的前提下进行。注 意: 这一前提可通过将器件放置正在可从动调温的大块金属或油槽里获得。对于强 制冷却的器件,丈量应严酷按照数据手册的前提进行。 IEC 60747-8 了分手元器件——场效应晶体管稳态和瞬态结壳热阻的测试 电。若是利用的绝缘材料具有变化的温度系数,如铍二极管,则该丈量手段不 可用。有两种丈量路子:一是冷却法。反向二极管的前置电压做为温敏参数正在固 定的参考电流下丈量。 必需留意的是当丈量反向二极管的前置电压时,源漏通道 不导通。二是加热法。测试电和要求取冷却法不异,测试法式分歧。 BS IEC 60747-9 了分手元器件——IGBT 的结到壳热阻和瞬态结到壳热阻的 测试电。 JESD51-1 集成电热测试方式-电测试方式(单一半导体器件) 。本尺度规 定了一种单芯片半导体器件的热特征参数电学测试方式, 测试方式操纵了电流一 定、 二极管正向电压随结温成线性变化的关系,合用于热测试芯片和功能集成电 器件。测试方式局限于单芯片封拆(测试芯片或者功能芯片) 。任何半导体器 件的热特征正在分歧的温度和功率耗散下,都不是一个常量,因而,凡是要求热测 试正在接近实正在的使用下进行。 JESD51-2 定义了天然散热下, 结-空气热阻的测试方式, 待测 SMT 封拆器件需要拆卸正在尺度测试板上, 测试时需将测试板程度放置正在静止空气箱中 防止外来氛围的干扰。 JESD51-3 尺度用于测试低热导率 PCB 板前提下的器件结-空气热阻特征, 可用于芯片间封拆热机能的比力,该尺度只合用于引脚间距大于 0.35mm 的有引 脚概况拆卸器件,不合用于通孔插拆、BGA 或插座类器件。 JESD51-4 尺度定义了引线键合类型的半导体芯片的热阻测试要求,从而使 该类非尺度测试芯片之间的测试成果差别达到最小。 JESD51-5 尺度了对间接粘结到 PCB 上的封拆类型芯片的测试 PCB 的 要求。 JESD51-6 尺度定义告终-顶热特征参数和结-板热特征参数,了强制 风冷热测试的要求及其测试方式。 JESD51-7 尺度用于测试高热导率 PCB 板前提下的器件结-空气热阻特征, 不合用于通孔插拆、BGA 或插座类器件。 JESD51-8 尺度引见了含两层铜测试板的结板热阻的测试方式,该尺度不适 用于具有非对称热流径的封拆器件和正在封拆一侧安拆散热器的封拆器件。 JESD51-9 尺度了 BGA、LGA 两种芯片封拆热测试 PCB 板的要求,不 合用于包含插座或 PGA 的 BGA 器件。 JESD51-10 尺度了 DIP 和 SIP 封拆器件热测试 PCB 板的要求。 JESD51-11 尺度了 PGA 芯片封拆器件热测试 PCB 板的要求。 JESD51-12 尺度总体引见了 JESD51 系列尺度定义的电子器件热特征值的使 用方式。以前的 ? jc 定义的参考点概况为器件概况的次要散热通道,可能是器件 的外壳顶部概况, 也可能是外壳的底部概况。该尺度进一步明白了外壳顶部概况 的结壳热阻定义为 ? jcTop , 同时细致申明告终顶热特征参数? JT 和结板热特征参数 ? JB 的寄义。 JESD51-13 尺度次要对半导体器件热测试中的常用术语进行了细致定义。 JESD51-14 尺度定义了一种新的热阻测试方式,即具有单一热传导径的半 导体器件结壳热阻的瞬态热测试界面法,该尺度是正在 JESD15 委员会对半导体封 拆器件的热学表征手艺进行了深切而普遍地研究会商之后通过的, 针对功率型半 导体器件的结壳热阻的热瞬态测试方式取保守的稳态丈量方式比拟, 这种新的测 试方式具有更高的测试精度和反复性。 JESD51-31 尺度针对多芯片组件的特点,对上述 JESD51 系列尺度的单 芯片前提下的热测试进行了恰当批改,该尺度将多芯片封拆器件分成两大 类,一类是热源芯片相对于封拆核心正在 X-Y 标的目的对称的封拆器件;另一类 是有源芯片或热源非对称分布的封拆器件。 关于多芯片组件热测试领导的编制工 做 JESD15 委员会正正在预备阶段。

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