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电操纵发射结的正向压降VBE 与结温Tj 正在相当宽
发布日期:2019-10-08

  分立器件热阻测试方式 一、瞬态热阻 瞬态热阻是指器件正在脉冲工做形态下的热阻。脉冲感化下的瞬态 热阻定义为最大结温升取耗散功率脉冲幅值之比。对功率晶体管凡是 以壳温做为温度参考点,其表达式为: θ jC = Δ Tj / PH = ( Tj - TC) / PH (1) 此中Tj为芯片结温;TC为壳温; PH 为的脉冲功率。瞬态热阻测 量归结为对脉冲功耗PH、壳温TC及结温Tj的丈量。明显,双极晶体管 的结温Tj无法进行间接丈量。为此,电操纵发射结的正向压降VBE 取结温Tj 正在相当宽的范畴内(0~200 ℃)呈线性关系,通过对VBE 的 丈量间接地丈量结温Tj。关系式为: Δ VBE (Tj) = M×Δ Tj =VBE (Ta)-VBE(Tj) (2) 式中 M 为温敏系数,是取温度T 根基无关的负;VBE ( Ta ), VBE (Tj) 别离为加脉冲功率前、后的温敏参数值。 由(1) 和(2) 式 获得瞬态热阻取温敏参数Δ VBE关系表达式: θ jC =Δ VBE (Tj)/PH (3) 公式(3) 为电丈量瞬态热阻的根基道理:正在必然前提下,器件从 结到外壳的热阻θ jC 和Δ VBE 成反比关系。 图1 所示为单脉冲丈量 双极晶体管瞬态热阻时序。图中tH 为加热功率持续时间; tms 为温 敏参数的测试时间;td 为加热脉冲堵截后丈量VBE ( Tj )的延迟时 间。 图1 单脉冲丈量瞬态热阻时序 二、晶体管热阻的测试电道理 按照瞬态热阻测试道理,图 2 所示为国标和军标中关于分立器件 热阻的测试电道理图。每次测试的大致环境是:(1) 起首,开关 S1 和 S2 置于 2,用于加热前被测器件 DUT 温敏参数(源漏 SD 之间) 的电压 VSD 丈量; (2) 然后,开关 S1 和 S2 置于 1,对被测器件 功率(功率设置为 VDS×ID);(3)最初,断开功率(开关 S1 和 S2 断 开 1 置于 2)后,正在很短的延迟后,快速对温敏参数 VSD 进行丈量。 图2 (S1 和 S2 别离置于 1 的是加热形态,置于 2 则用于器件初始值 和加热后的丈量形态) 丈量时序图如图 3 所示,测试时的测试电流 Im、加热电流 Ih、 加热时间 Th(加热功率)及延不时间 Td 均可设置。正在两个测试电流 Im 形态下别离丈量 VBE1(VDS1)取 VBE2(VDS2)两个参数。 三、参数要求 项目 加热电流 加热电压 功率延时 功率断开 后延时 丈量电流 丈量电压 图 3 丈量时序图 范畴 0-20A 0-200V 10S 20-100uS 调理度 1-100mA 0-2V 精度 16 位 ADC

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